viernes, 11 de octubre de 2013

La memoria flash del futuro será 3D


Las tecnologías de fabricación convencionales de semiconductores pronto alcanzarán su límite de capacidad en el segmento de memorias flash NAND. Es por eso que los fabricantes deberán adoptar técnicas de producción 3D con la finalidad de impulsar la capacidad de sus dispositivos.


La firma de investigación de mercado IHS estima que para el año 2017, casi dos tercios (65,2 por ciento) de todos los chips de memoria flash NAND distribuidos globalmente serán producidos utilizando procesos de fabricación 3D; actualmente, menos del 1 por ciento se fabrica usando tales técnicas. La participación de mercado de NAND en general de la tecnología 3D está previsto que salte de un 5,2 por ciento en 2014 a un 30,2 por ciento de las ventas totales de memoria flash en 2015. Para el año siguiente, la memoria NAND 3D alcanzará una participación del 49,8 por ciento del mercado.

“Hay un conocimiento general de que a la memoria flash NAND fabricada con tecnología planar de silicio convencional sólo le quedan una o dos generaciones antes de que alcance su límite teórico”, opinó Dee Robinsonanalista senior de memoria y almacenamiento en IHS“A medida que las litografías se compriman más, la performance y la escalabilidad podrían volverse muy degradadas, hasta un punto en que no podrían utilizarse en nada más que los productos de consumo de menor costo. Dado que los fabricantes de NAND están impulsados a continuar construyendo productos con mayores densidades y menores precios, migrarán rápidamente a la fabricación 3D en los próximos años”.

El factor principal que impulsa a los fabricantes de NAND a seguir mejorando sus productos es la demanda por tablets y smartphones, dado que estos dispositivos están exigiendo mayor capacidad y almacenamiento menos costoso.

Históricamente, los fabricantes de flash NAND han empleado la miniaturización, migrando a tecnologías de fabricación más delgadas, para incrementar la capacidad y reducir el costo de sus productos. Con la tecnología 3D, el énfasis cambia de la miniaturización al aumento de densidad, mediante la disposición en capas de las celdas de memoria.

Si bien tanto Samsung como SK Hynix anunciaron tiempo atrás el desarrollo interno de la flash NAND 3D, el momento del lanzamiento a producción se ha movido más rápido que lo esperado, superando las expectativas de lo que predijeron los observadores. Otros fabricantes de chips, sin embargo, decidieron continuar usando flash NAND planar, al menos hasta que pase una generación más. En este grupo están fabricantes tales como SanDiskMicron Technology y Toshiba.


Fuente: ITSitio

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